P-רמת/D-רמת 4 אינץ 4H-SiC מצע למחצה בידוד SI מוליכים למחצה חומר

אין ביקורות עדיין

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

מאפיינים עיקריים

מאפיינים נוספים

מקום מוצא

China

שם מותג

GaNova

מספר דגם

JDCD03-002-001

סוג

SiC רקיק

Crystal form

4H

Diameter

100.0mm+0.0/-0.5mm

Surface orientation

{0001}±0.2°

Length of main reference edge

32.5 mm ± 2.0 mm

Length of secondary reference edge

18.0 mm ± 2.0 mm

אריזה ומשלוח

פרטי אריזה

carton

יכולת אספקה

יכולת אספקה

100000 חתיכה / חתיכות per Month

להציג יותר

תיאורי המוצרים מהספק

כמות הזמנה מינימלית: 3 יחידות

‏919.57 ‏€ - ‏1,021.53 ‏€

וריאציות

סך הקופונים:

לבחור עכשיו

משלוח

אין פתרונות משלוח לכמות שנבחרה כרגע

הטבות לחברי מועדון

החזרים כספיים מהיריםהצג עוד

הגנות על המוצר הזה

תשלומים מאובטחים

כל תשלום שאתם מבצעים ב-Alibaba.com מאובטח על ידי הצפנת SSL ופרוטוקולי PCI DSS קפדניים להגנה על נתונים

מדיניות החזרים כספיים ו-Easy Return

דרשו החזר כספי אם הזמנתכם אינה נשלחת, אובדת או מגיעה עם בעיות במוצרים, בתוספת החזרות מקומיות בחינם של מוצרים פגומים